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INIZIO_TESTO_DA_INDICIZZARE

SCHEDA FIRB

italiano - english
Unità di Ricerca
  • Consiglio nazionale delle ricerche (CNR)
    CEQSE-Centro di Elettronica Quantistica e Strumentazione Elettronica, MILANO (MI)
  • Consiglio nazionale delle ricerche (CNR)
    ISTITUTO PER LA MICROELETTRONICA E I MICROSISTEMI (IMM), CATANIA (CT)
  • Istituto Nazionale Fisica della Materia (INFM)
    CATANIA, CATANIA (CT)
  • Universita' degli Studi di UDINE
    INGEGNERIA ELETTRICA, GESTIONALE E MECCANICA, UDINE (UD)
  • Consiglio nazionale delle ricerche (CNR)
    IROE "Nello Carrara", FIRENZE (FI)
  • Istituto Nazionale Fisica della Materia (INFM)
    Unit¿ di Pavia, PAVIA (PV)
FIRB simili:
Classificazione scientifico-disciplinare
Classificazione brevettuale
Classificazione geografica
Bibliografia
1. D. Khang and S.M. Sze, Bell. Syst. Tech. J., 46, 1288 (1967).
2. D. Froman-Bentchkowsky, IEEE ISSCC Tech Dig., 80 (1971).
3. P. Pavan, R. Bez, in Flash Memories, editors P. Cappelletti, C. Golla, P. Olivo, E. Zanoni (Kluwer, Dordrecht, 1999).
4. S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, H. Hanafi, W. Chan, D. Buchanan, IEEE IEDM Tech. Dig., 469 (1995).
5. D.J. Maria and E. Cartier, J. Appl. Phys. 78, 3883 (1995).
6. L.P. Kouwenhouven, C.M. Marcus, P.L. Mceuen, S. Tarucha, R.L. Westervelt, N.S. Wingreen, NATO ASI Series E Applied Science 345, 105 (1997).
7. Agarwal, H.-J. Gossman, D.J. Eaglesham, L. Pelaz, D.J. Jacobson, T.E. Haynes, and Y. Erokhin, Appl. Phys. Lett. 71, 3141 (1997).
8. P.A.Stolk, H.-J.Gossmann, D.J.Eaglesham, D.C.Jacobson, C.S.Rafferty, G.H.Gilmer, M.Jaraiz, J.M.Poate, H.S.Luftman and T.E.Haynes, J. Appl. Phys. 81, 6031 (1997).
9. P.M.Fahey, P.B.Griffin and J.D.Plummer, Rev. Mod. Phys. 61, 289 (1989).
10. N.E.B.Cowern, G.Mannino, P.A.Stolk, F.Roozeboom, H.G.A.Huizing, J.G.M.van Berkum, A.Claverie, F.Cristiano and M.Jaraiz, Phys. Rev. Lett. 82, 4460 (1999).
11. J. Narayan, O.W. Holland, C.W. White and R.T. Young, J. Appl. Phys. 55, 1125 (1983).
12. H. Tsukamoto, H. Yamamoto, T. Noguchi, H. Masuya and T. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 3810 (1996).
13. V. Privitera, C. Spinella, G. Fortunato, and L. Mariucci, Appl. Phys. Lett. 77, 552 (2000).
14. D.A. Muller, T. Sorsch, and S. Morcio, Nature 399, 758 (1999).
15. J.H. Statis, D.J. DiMaria, IEDM Tech. Digest, 167 (1998).
16. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B18, 1785 (2000).
17. B. Cheng, M. Cao, and R. Rao, IEEE Electron Devices 46, 1537 (1999).
18. Optical interconnects Roadmap, 1999 [http://www.cordis.lu/esprit/src/melari.html]
19. L.T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1045 (1990).
20. A.G. Cullis and L.T. Canham, Nature 353, 335 (1991).
21. W.L.Wilson, P.F. Szajowski, and L.E. Brus, Science 262, 1242 (1993).
22. Z.H. Lu, D.J. Lockwood, and J.-M. Baribeau, Nature 378, 258 (1995).
23. K.D. Hirschman, L. Tsybeskov, S.P. Duttagupta, and P.M. Fauchet, Nature 384, 338 (1996).
24. G. Franzò, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, and A. Carnera, Appl. Phys. Lett. 64, 2235 (1994).
25. D. Leong, M. Harry, K.J. Reeson, and K.P. Homewood, Nature 387, 686 (1997).
26. D.A. Miller, Nature 378, 238 (1995).
27. S.S. Iyer and Y.-H Xie, Science 260, 40 (1993).
28. Silicon based Optoelectronics. MRS Bulletin (1998, Vol. 23, No. 4).
29. L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzò, F. Priolo, Nature 408, 440 (2000).
30. G. Franzò, V. Vinciguerra, F.Priolo, Appl. Phys. A 69, 3 (1999). – Invited paper
31. E. Yablonovitch, Phys. Rev. Lett. 58, 2059 (1987).
32. S. John, Phys. Rev. Lett. 58, 2486 (1987).
33. U. Gruning, V. Lehmann, and C.M. Engelhardt, Appl. Phys. Lett. 66, 24 (1995).
34. P. Camy, J.E. Roman, F.W. Willems, M. Hempstead, J.C. Van Der Plaats, C. Prel, A. Beguin, A.M.J. Koonen, J.S. Wilkinson and C. Lerminiaux, Electron. Lett. 32, 321 (1996).
35. C. C. Li, H. K. Kim and M. Migliuolo IEEE Photonics Techn. Lett. 9, 1223 (1997).
36. J-M.P. Delavaux, G.C. McIntosh, G.R. Wilson, J. Shmulovich, A. Kevorkian, D. Barbier, Proc. Opt. Fiber Communication Conf. 4, 64 (2000).
37. Righini G.C., Pelli S., Brenci M., Ferrari M., Duverger C., Montagna M., Dall'Igna R., J. Non-Cryst. Solids 284, 223 (2001).
38. Righini G.C., Brenci M., Forastiere M.A., Pelli S., Ricci G., Nunzi Conti G., Peyghambarian N., Ferrari M., Montagna M., accettato per la pubblicazione in Philosophical Magazine B, 2001.
39. Righini G.C., Pelli S., Ferrari M., relazione su invito a MOC'01 (8th Microoptics Conference, Osaka, Japan, 24-26 October 2001).
40. G. Sorbello, S. Taccheo, E. Cianci, V. Foglietti, S. Jiang, N. Peyghambarian, P. Laporta, and O. Svelto, Electron. Lett. 37 1014 (2001).
41. P. Laporta, S. De Silvestri, V. Magni, and O. Svelto, Opt. Lett. 16, 1952 (1991).
42. P. Laporta, S. Taccheo, S. Longhi, O. Svelto, and G. Sacchi, Opt. Lett. 18, 1232 (1993).
43. S. Taccheo, G. Sorbello. P. Laporta, G. Karlsson and F. Laurell, IEEE Phot. Technol. Lett. 13, 1 (2001).
44. A.Yeniay, J-P. Delavaux, T.A. Strasser, M. Rattay, R.L. Hyde, P. Gastaldo, and A. Kevorkian, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 1099 (1997).
45. D.L. Veasey, D.S. Funk, N.A. Sanford, and J.S. Hayden, Appl. Phys. Lett. 74, 789 (1999).
46. S.J.B. Yoo, J. Lightwave Technol. 14, 955 (1996).
47. J. Leuthold, C.H. Joyner, B. Mikkelsen, G. Raybon, J.L. Pleumeekers, B.I. Miller, K. Dreyer, and C.A.Burrus, Electron. Lett. 36, 1129 (2000).
48. M.H. Chou, J. Hauden, M.A. Arbore, and M.M. Fejer, Opt. Lett. 23, 1004 (1998).
49. G. P. Banfi, P. K. Datta, V. Degiorgio, D. Fortusini, Appl. Phys. Lett. 73, 136 (1998).
50. R. Ramponi, R. Osellame, M. Marangoni, G.P. Banfi, I. Cristiani, L. Tartara, and L. Palchetti, Opt. Comm. 172, 203 (1999).
51. I. Brener, B. Mikkelsen, G. Raybon, R. Harel, K. Parameswaran, J.R. Kurtz, M.M. Fejer, Electron. Lett. 36, 1788 (2000).
52. V. Degiorgio and C. Flytzanis Eds., "Nonlinear Optical Materials: Principles and Applications", IOS Press, Amsterdam (1995).
53. C. Fiorini, F. Charra, J.-M. Nunzi, and P. Raimond, J. Opt. Soc. Am. B 14, 1984 (1997).
54. E. Di Fabrizio, F. Romanato, M. Gentili, S. Cabrini, B. Kaulich, J. Susini, and R. Barrett, Nature 401, 895 (1999).
55. E. N. Glezer, M. Milosavljevic, L. Huang, R. J. Finlay, T.-H. Her, J. P. Callan, and E. Mazur, Opt. Lett. 21, 2023 (1996).
56. D. Homoelle, S. Wielandy, Alexander L. Gaeta, N. F. Borrelli and Charlene Smith, Opt. Lett. 24, 1311 (1999).
57. C.B. Schaffer, A. Brodeur, J.F. García, and E. Mazur, Opt. Lett. 26, 93 (2001).
58. P. Halevi, A. A. Krokhin, and J. Arriaga, Appl.Phys. Lett. 75, 2725 (1999).
59. H. Kosaka, T. Kawashima, A. Tomita, M. Notomi, T. Tamamura, T. Sato, and S. Kawakami, J. Lightwave Techn. 17, 2032 (1999).
60. M. Notomi, T. Tamamura, T. Kawashima, and S. Kawakami, Appl. Phys. Lett. 77, 4256 (2000).
61. A. Blanco, H. Míguez, F. Meseguer, C. López , F. López-Tejeira, and J. Sánchez-Dehesa, Appl. Phys. Lett. 78, 3181 (2001).
62. E. Chow, S.Y. Lin, S.G. Johnson, P.B. Villeneuve, J.D. Joannopoulos, J.R. Wendt, G.A. Vawter, W. Zubrzycki,H. Hou, and A. Alleman, Nature 407, 983 (2000).
63. V. Berger, Phys. Rev. Lett. 81, 4136 (1998).
64. S.Y. Lin, E. Chow, V. Hietch, P.R. Villeneuve, and J.D. Joannopoulos, Science 282, 274 (1998).
65. T.F. Krauss, R.M. De La Rue, S. Brand, Nature 383, 699 (1996).
66. M.E. Zoorob, M.D.B. Charlton, G.J. Parker, J.J. Baumberg, and M.C. Netti, Nature 404, 740 (2000).
Parole Chiave
Dispositivi a singolo elettrone; Giunzioni ultrasottili e dielettrici ultrasottili; Dispositivi emettitori di luce in silicio; Microdispositivi ottici integrati; Cristalli fotonici

Sistemi miniaturizzati per elettronica e fotonica

Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR)
Abstract
Il progetto riguarda settori molto avanzati della microelettronica e della fotonica.
Nell'ambito dei dispositivi elettronici, una classe di circuiti di grande interesse per la microelettronica è rappresentata dai CMOS, che hanno conosciuto negli ultimi decenni un enorme sviluppo basato su una costante tendenza alla miniaturizzazione. E' opinione comune nella comunità scientifica e tecnica che questa miniaturizzazione sia ormai prossima al punto in cui sono necessari nuovi approcci per potere proseguire su questa strada. In questo ambito, sono stati individuati i seguenti obiettivi particolari: (i) Studio, realizzazione e caratterizzazione di memorie MOS a nanocristalli basate su quantum dot di Silicio (ii) Studio, realizzazione e caratterizzazione di giunzioni e ossidi ultrasottili da utilizzare nella tecnologia CMOS. (iii) Studio, realizzazione e caratterizzazione di interconnesioni ottiche realizzate interamente su Si.
Le memorie a nanocristalli rappresentano un promettente candidato per lo scaling delle più importanti memorie non volatili MOS: le flash. Le flash hanno ormai raggiunto il livello di 1Gb e risultano pertanto pressanti i problemi connessi alla necessità di ridurre le dimensioni orizzontali e verticali della cella elementare. Le memorie a nanocristalli offrono la possibilità di uno scaling sia orizzontale (riduzione della lunghezza di canale ed eliminazione delle "alette" utilizzate per aumentare l'accoppiamento capacitivo tra floating gate e>>>

Coordinatore Scientifico del Programma di Ricerca
ORAZIO SVELTO, Consiglio nazionale delle ricerche (CNR)
Obiettivo del Finanziamento
La necessità di integrazione dei dispositivi elettronici a livelli sempre più elevati, la conseguente riduzione delle dimensioni del singolo dispositivo, e la necessità di disporre di componenti e dispositivi ottici sempre più efficienti e miniaturizzati, soprattutto per il campo delle comunicazioni ottiche, hanno portato la comunità scientifica internazionale a cercare nuove soluzioni per i dispositivi elettronici e fotonici delle generazioni future. Queste soluzioni necessitano di studi di fisica di base su materiali e processi in modo da ottenere sistemi miniaturizzati multifunzionali, più efficienti e a basso costo, nei quali le funzionalità elettroniche siano possibilmente integrate con quelle ottiche.
Per quanto riguarda i dispositivi elettronici, il livello di integrazione è normalmente commisurato al livello di miniaturizzazione dei circuiti CMOS. È opinione comune nella comunità scientifica e tecnica che questa miniaturizzazione è ormai prossima al punto in cui sono necessari nuovi approcci per potere proseguire su questa strada. Un obiettivo generale del presente progetto è pertanto rappresentato dallo studio di nuovi materiali, nuove tecniche di processo, e nuove strutture atte a realizzare uno scaling spinto della corrispondente tecnologia. In questo ambito, sono stati individuati i seguenti obiettivi particolari: (i) Studio, realizzazione e caratterizzazione di memorie a nanocristalli costituite da dot di silicio di dimensioni nanometriche. (ii) Studio>>>

Durata
36 mesi