Vai al contenuto| Home page|

   Ti trovi in: HOME »Programmi, progetti e risultati »I progetti »FIRB - Fondo per gli Investimenti della Ricerca di Base »scheda FIRB
INIZIO_TESTO_DA_INDICIZZARE

SCHEDA FIRB

italiano - english
Unità di Ricerca
  • Universita' degli Studi de L'AQUILA
    Dip. FISICA, L'AQUILA (AQ)
  • Ente per le Nuove tecnologie, l'Energia e l'Ambiente (ENEA)
    DIVISIONE FISICA APPLICATA - SEZIONE LASER ED ACCELERATORI, ROMA (RM)
  • Universita' degli Studi di PADOVA
    Dip. ELETTRONICA E INFORMATICA, PADOVA (PD)
  • EL.EN. S.P.A.
    Divisione Ricerca e Sviluppo, FIRENZE (FI)
FIRB simili:
Classificazione scientifico-disciplinare
Classificazione brevettuale
Classificazione geografica
Bibliografia
1] David Attwood: "Soft X-rays and extreme ultraviolet radiation: principles and applications", Cambridge University Press, 1999.
2] R.H. Stulen and D.W. Sweeney: "Extreme ultraviolet lithography", IEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 35, No. 5, pp. 694-699, May 1999.
3] W.T. Silvfast: "Intense EUV incoherent plasma sources for EUV lithography and other applications", IEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 35, No. 5, pp. 700-708, May 1999.
4] G.D. Kubiak et al.: "High-power source and illumination system for extreme ultraviolet lithography", Poc. SPIE 3767, pp.136-142, 1999.
5] I.C.E. Turcu et al.: "High power X-ray point source for next generation lithography", SPIE 3767, pp. 21-32, 1999.
6] R. Kodama, "Soft X-ray emission from w0, 2w0, and 4w0 laser produced plasmas", J. Appl. Phys. 59, pp. 3050-, 1986.
7a] H.A. Bender, D. O'Connel and W.T. Silvfast: "Velocity characterization of particulate debris from laser-produced plasmas used for extreme-ultraviolet lithography", Applied Optics, Vol. 34, No. 28, pp. 6513-6521, 1995.
7b] M.S. Schulz, A.G. Michette, and R.E. Burge: "A study of the feasibility of X-ray microscopy with a laser-plasma source", Springer Series in Optical Science, Vol. 67, "X-ray Microscopy III" Int. Conference, Eds.: A. Michette, G. Morrison, and C. Buckley @ Springer-Verlag Berlin Heidelberg , p. 58, 1992.
8] S. Bollanti et al.: "Toward a high average power and debris free soft X-ray source for microlithography, pumped by a long pulse excimer laser", SPIE 3767, pp. 33-44, 1999.
9] M. Wedowski et al.: "Lifetime studies of Mo/Si and Mo/Be multilayer coatings for extreme ultraviolet lithography", SPIE 3767, pp. 217-224, 1999.
10] H. N. Chapman and K. A. Nugent: "A novel condenser for EUV lithography ring-field projection optics", SPIE 3767, pp. 225-236, 1999.
11] B.L. Henke, E.M. Gullikson and J.C. Davis: "X-ray interactions: photoabsorption, scattering, tyransmission and reflection at E=50-30000 eV, Z=1-92" Atomic Data and Nucl. Data Tables 54, 181 (1993).
12] J. Lindhart and M. Scharff: "Energy dissipation by ions in the keV region", Phys. Rev., Vol. 124, pp. 128-130, 1961.
13] S. Bollanti, R. Cotton, P. Di Lazzaro, F. Flora, T. Letardi, N. Lisi, D. Batani, A. Conti, A. Mauri, L. Palladino, A. Reale, M. Belli, F. Ianzini, A. Scafati, L. Reale, M. A. Tabocchini, P. Albertano, A. Ya, Faenov, T. Pikuz and A. Oesterheld, "Development and characterization of an XeCl excimer laser generated soft X-ray plasma source and its applications", Il Nuovo Cimento 18D(11), pp. 1241-1255, 1996.
14] S. Bollanti, P. Albertano, M. Belli, P. Di Lazzaro, A. Ya. Faenov, F. Flora, G. Giordano, A. Grilli, F. Ianzini, S. V. Kukhlevsky, T. Letardi, A. Nottola, L. Palladino, T. Pikuz, A. Reale, L. Reale, A. Scafati, M. A. Tabocchini, I. C. E. Turcu, K. Vigli-Papadaki and G. Schina, "Soft X-ray plasma source for atmospheric pressure microscopy, radiobiology and other applications", Il Nuovo Cimento 20D, pp. 1685-, 1998.
15] S. Bollanti, T. Letardi, and C. e. Zheng, "Flight range of the particulate in a laser plasma generated soft X-ray chamber", Appl. Phys. A, Vol. 71, pp. 255-260, 2000.
16] T. Letardi, D. Lo, and C.E. Zheng, "Particle dynamics of debris produced during laser plasma soft X-ray generation", J. of Appl. Phys., 9, 2, pp. 1458-1462, 2001.
17] F. Flora, L. Mezi,, C.E. Zheng and F. Bonfigli : "Krypton as stopper for ions and small debris in laser plasma sources", to be published on Europhysics Letters, 2001.
18] G.E. Moore: "Lithography and the future of Moore's low", SPIE2437, 2, 1995.
19] N. Itoh and M. Stoneham, Materials Modification by Electronic Excitation, edited by N. Itoh and M. Stoneham (Cambridge University Press, 2000)
20] R.M. Montereali, S. Bigotta, M. Piccinini, M. Gianmatteo, P. Picozzi, S. Santucci, Nucl. Instr. and Meth. B 166-167, 764 (2000).
21] K. L. Shanklee and R. F. Leheny, Appl. Phys. Lett. 18, 475 (1971).
22]V. A. Kozlov, A. S. Svakhin, and V.V. Ter-Mikirtychev, Electron. Lett. 30, 42 (1994).
23]R.M.Montereali, A.Mancini, S.Martelli, F.Menchini, P.Picozzi, J. Appl. Org. Chem. 15 (2001) 407-413
24]A. Belarouci, F. Menchini, H. Rigneault, B. Jacquier, R.M. Montereali, F. Somma, P. Moretti,,Opt. Comm.189 (2001) 281-287
25]G.Baldacchini and R.M.Montereali, Optical Materials 16 (2001) 53-61
26]R.M.Montereali, M.Piccinini, E.Burattini, Appl.Phys.Lett.78,26 (2001) 4082-4084
27] Nicolosi P.; A. Patelli; M.G. Pelizzo; V. Rigato; G. Maggioni; L. Depero; E. Bontempi; G. Mattei; L. Poletto; P. Mazzoldi; G. Tondello (2001), "First realization and characterization of multilayer EUV reflective coatings", Soft X-ray and EUV imaging systems II SPIE vol. 4506.
28] L. Poletto; Nicolosi P.; G. Tondello (2000), "Stigmatic EUV Spectroscopic System for Emission and Absorption Studies of Laser-produced Plasmas", Instrumentation for UV/EUV Astronomy and Solar missions, SPIE. vol. 4139.
Parole Chiave
microlitografia; plasma; raggi-X molli; EUV; specchi multilayer; optoelettronica

Prototipo per nanofabbricazione di chip per elettronica e di dispositivi per optoelettronica basato su microlitografia EUV

Università degli Studi de L'Aquila
Abstract
Il progetto può essere riassunto come lo sviluppo della ricerca e della tecnologia nel campo della litografia in proiezione nell'Estremo Ultra-Violetto (EUV) partendo da uno studio sui vari settori del campo (sorgente EUV, ottiche per EUV, photoresists per EUV) fino a giungere alla realizzazione (nel Centro Ricerche ENEA di Frascati) di un dimostratore di impianto per microlitografia in proiezione su wafer per elettronica. Sono previste per questo dispositivo anche delle prove applicative su cristalli per optoelettronica e la realizzazione di micro-guide d'onda per fotonica al THz. Tale dimostratore è basato su una sorgente EUV di tipo laser-produced plasma (LPP), dove il plasma sarà generato da un laser ad eccimero XeCl di alta energia per impulso ed alta potenza media, focalizzato su un bersaglio solido a nastro su cui viene prodotto un plasma ad alta densità ed alla temperatura di un milione di gradi centigradi circa. Si ritiene di poter raggiungere un'efficienza di conversione di energia da laser ad EUV del 1-1.5% nella banda di riflettività degli specchi multilayer per EUV (tra 14.0 e 14.4 nm). Parallelamente allo sviluppo della sorgente EUV, verrà svolta una ricerca di base su tutte le problematiche coinvolte nella litografia EUV. In particolare si intende mettere a punto la tecnologia di fabbricazione e controllo di qualità degli specchi multilayer per EUV i quali dovranno raggiungere riflettività superiori al 60% su dimensioni fino a 5 cm di diametro e su superfici>>>

Coordinatore Scientifico del Programma di Ricerca
ARMANDO REALE, Universita' degli Studi de L'AQUILA
Obiettivo del Finanziamento
1 - L'obiettivo scientifico primario della presente Proposta Progettuale è lo sviluppo della ricerca e della tecnologia nel campo della litografia in proiezione nell'Estremo Ultra-Violetto (EUV) partendo da uno studio sui vari settori del campo (sorgente EUV, ottiche per EUV, photoresists per EUV) fino a giungere alla realizzazione (nel Centro Ricerche ENEA di Frascati) di un dimostratore di impianto per microlitografia in proiezione su wafer per elettronica. Sono previste per questo dispositivo anche delle prove applicative (vedi obiettivi 2 e 3) su cristalli per optoelettronica e la realizzazione di micro-guide d'onda per fotonica al THz. Tale dimostratore è basato su una sorgente EUV di tipo laser-produced plasma (LPP), dove il plasma sarà generato da un laser ad eccimero XeCl di alta energia per impulso ed alta potenza media, focalizzato su un bersaglio solido a nastro su cui viene prodotto un plasma ad alta densità ed alla temperatura di un milione di gradi centigradi circa. Si ritiene di poter raggiungere un'efficienza di conversione di energia da laser ad EUV del 1-1.5% nella banda di riflettività degli specchi multilayer per EUV (tra 14.0 e 14.4 nm). Parallelamente allo sviluppo della sorgente EUV, verrà svolta una ricerca di base su tutte le problematiche coinvolte nella litografia EUV. In particolare si intende mettere a punto la tecnologia di fabbricazione e controllo di qualità degli specchi multilayer per EUV i quali dovranno raggiungere riflettività superiori>>>

Durata
36 mesi